[发明专利]导电结构体、包括该导电结构体的电极以及显示装置有效
| 申请号： | 201680053281.4 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108139638B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李一翻;章盛晧;闵进赫;金起焕;朴赞亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G06F3/041;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 包括 电极 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种导电结构体，包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由两种或更多种金属形成，并且由半透明材料形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，所述光反射减少层包括形成所述第二金属层的金属的氮氧化物，并且与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面在具有380nm至780nm波长的光中的平均光反射率降低7％至50％。
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