[发明专利]电子器件及电子器件的密封方法有效
| 申请号： | 201680053520.6 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN108029164B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 奥山真人;小渕礼子 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的技术在于，提供一种具备具有高的阻气性能的密封层的电子器件，及使用有该密封层的电子器件的密封方法。本发明的电子器件为在基材上具有功能性元件及密封该功能性元件的密封层的电子器件，其中，所述密封层是含有第12～14族的非过渡金属(M1)的氧化物的第1阻气层和与该第1阻气层相接而配置的含有过渡金属(M2)的氧化物的第2阻气层的叠层体；或者是含有所述非过渡金属(M1)及所述过渡金属(M2)的复合氧化物的阻气层；或者是具有含有该复合氧化物的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 密封 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其在基材上具有功能性元件及密封该功能性元件的密封层，其中，/n所述密封层是含有第12～14族非过渡金属(M1)的氧化物的第1阻气层和与该第1阻气层相接而配置的含有过渡金属(M2)的氧化物的第2阻气层的叠层体，并且，在该叠层体的厚度方向的一部分存在含有所述非过渡金属(M1)及所述过渡金属(M2)的复合氧化物的区域；或者所述密封层是含有所述非过渡金属(M1)及所述过渡金属(M2)的复合氧化物的阻气层；或者所述密封层具有含有该复合氧化物的区域，/n将非过渡金属设为M1，将过渡金属设为M2，将氧设为O，及将氮设为N时，含有所述复合氧化物的阻气层或区域存在含有以(M1)(M2)
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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