[发明专利]用于转移单晶块的方法有效
申请号: | 201680053949.5 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN108028222B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 布鲁诺·吉瑟兰 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;C30B25/18;C30B33/06;H01S5/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;李艳芳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种转移方法,该转移方法包括以下步骤:a、提供中间基板(10),该中间基板(10)在其一个表面上包括多个块(20),所述块(20)由单晶材料制成,所述块(20)包括脆化区域(50),该脆化区域(50)限定旨在用于被转移到最终基板(60)上的块部分(70);b、通过使块(20)中的每个的自由表面(40)接触所述最终基板(60)来执行组装步骤;以及c、在该组装步骤之后,在块(20)中的每个的脆化区域(50)处执行分离;该转移方法的特征在于,在该组装步骤期间,该中间基板(10)变形,使得所述块(20)的自由表面变为共面的。 | ||
搜索关键词: | 用于 转移 单晶块 方法 | ||
【主权项】:
1.一种转移方法,所述转移方法包括以下步骤:a、提供中间基板(10),所述中间基板(10)在其一个面上包括通过第一主面(30)组装到所述中间基板(10)上的多个块(20),所述块(20)具有与所述第一主面(30)相反的自由表面(40)且为单晶材料,所述块(20)包括脆化区域(50),每个块的所述脆化区域(50)和所述自由表面(40)界定旨在被转移到最终基板(60)上的块部分(70);b、通过使所述块(20)中的每个块的所述自由表面(40)接触所述最终基板(60)来执行组装步骤;c、在所述组装步骤之后,在所述块(20)中的每个块的所述脆化区域(50)处执行分离,以便将所述块(20)中的每个块的所述块部分(70)转移到所述最终基板(60)上,所述转移方法的特征在于,在所述组装步骤期间,所述中间基板(10)变形,以使得所述块(20)的所述自由表面变为共面的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司,未经索泰克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680053949.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造