[发明专利]具备SiC层的化合物半导体基板有效
| 申请号： | 201680054414.X | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN108026638B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 生川满久;深泽晓;铃木悠宜;川村启介 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01L33/32;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有期望品质的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；在SiC层上形成的AlN(氮化铝)缓冲层；在AlN缓冲层上形成的Al(铝)氮化物半导体层；在Al氮化物半导体层上形成的第一GaN(氮化镓)层；与第一GaN层接触且在第一GaN层上形成的第一AlN中间层；以及与第一AlN中间层接触且在第一AlN中间层上形成的第二GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 sic 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体基板，其具备：SiC层；在所述SiC层上形成的AlN缓冲层；在所述AlN缓冲层上形成的、包含Al的氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层上形成的第一GaN层；与所述第一GaN层接触且在所述第一GaN层上形成的第一AlN中间层；以及与所述第一AlN中间层接触且在所述第一AlN中间层上形成的第二GaN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱沃特株式会社，未经爱沃特株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680054414.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：把手及冷冻器
- 下一篇：标识共享总线上的多个相同设备
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
