[发明专利]用于改善毫秒退火系统中的处理均匀性的方法有效
| 申请号： | 201680054608.X | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108028200B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·科斯塞夫;马库斯·哈格多恩;克里斯蒂安·普法勒 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于改善毫秒退火系统中的处理均匀性的系统和方法。在一些实施方式中，用于在毫秒退火系统中热处理衬底的方法可以包括在毫秒退火系统中的处理期间获得指示与一个或更多个衬底相关联的温度分布的数据，该方法可以包括下述各项中的一项或更多项：(1)改变毫秒退火系统的处理室内的压力；(2)借助于毫秒退火系统中的水窗的折射作用来操纵照射分布；(3)调节衬底的角度定位；以及/或者(4)配置用在毫秒退火系统中的反射器的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 毫秒 退火 系统 中的 处理 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在毫秒退火系统中热处理衬底的方法，包括：在毫秒退火系统中的处理期间获得指示与一个或更多个衬底相关联的温度分布的数据，所述毫秒退火系统具有将处理室分成顶部室和底部室的晶片平板；以及至少部分地基于指示所述温度分布的所述数据来调节所述处理室中的压力，以影响在整个所述一个或更多个衬底上的温度均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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