[发明专利]基于隧穿场效应晶体管（TFET）的高密度和低功率时序在审
| 申请号： | 201680055703.1 | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN108141206A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | D·H·莫里斯;U·E·阿维齐;I·A·杨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H03K19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种装置，所述装置包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型和n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第二TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。 | ||
| 搜索关键词： | 时钟节点 隧穿场效应晶体管 源极端子 耦合 串联耦合 节点耦合 时序描述 栅极端子 低功率 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一p型TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第一n型TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。
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