[发明专利]存储器中的分割擦除有效
| 申请号： | 201680055971.3 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108028067B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | S.R.拉吉瓦德;A.戈达;P.卡拉瓦德;K.K.帕拉特;H.桑达 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 系统、设备和方法可提供：识别存储器中将要被部分或完全擦除的NAND串的目标子块；以及在与目标子块关联的一个或多个目标选择栅漏极侧(SGD)装置中触发漏电流状况。另外，可在与存储器中的NAND串的剩余子块关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况。在一个示例中，在所述一个或多个目标SGD装置中触发漏电流状况包括：将所述一个或多个目标SGD装置的栅极电压设置为产生超过与漏电流状况对应的阈值的反向电压的值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 中的 分割 擦除 | ||
【主权项】：
1.一种存储器控制器设备，包括：子块分割器，用于识别将要被部分或完全擦除的存储器的目标子块；漏极侧泄漏驱动器，用于在与目标子块关联的一个或多个目标选择栅漏极侧(SGD)装置中触发漏电流状况，其中漏极侧泄漏驱动器经多个栅极脉冲将所述一个或多个目标SGD装置的栅极电压设置为产生超过阈值的反向偏置电压的值，所述阈值与漏电流状况对应；漏极侧泄漏抑制器，用于在与存储器的剩余子块关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况，其中漏极侧泄漏抑制器用于将所述一个或多个剩余SGD装置的栅极电压设置为不产生超过所述阈值的反向偏置电压的值；和源极侧泄漏抑制器，用于在与目标子块关联的一个或多个选择栅源极侧(SGS)装置中抑制漏电流状况。
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