[发明专利]p型4H－SiC单晶和p型4H－SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680056202.5 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108026663B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 江藤数马;加藤智久;周防裕政;德田雄一郎 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所;昭和电工株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×10 |
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| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p型4H－SiC单晶，共掺杂有铝和氮，氮浓度为2.0×1019 /cm3 以上，铝浓度为1.0×1020 cm3 以上。
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