[发明专利]集成电路晶粒构件的电容性耦合有效
| 申请号： | 201680056319.3 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN108028246B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 亚卡尔古德·R·西塔朗;贝尔格森·哈巴 | 申请（专利权）人： | 英帆萨斯公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑;贺亮 |
| 地址： | 美国加州95134*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了集成电路晶粒构件与其他导电区域的电容性耦合。待耦合的每一个构件具有一表面，其包括至少一个导电区域，例如一金属衬垫或金属平板。一超薄介电质层形成于待耦合的至少一个表面上。当两个构件(例如，来自每一个晶粒的一个构件)被永久地接触在一起时，该超薄介电质层维持在两个表面之间，以形成在每一个相应构件的导电区域之间的电容器或电容性介面。该超薄介电质层可以由各种介电质的多个层所组成，但是在一个实施方式中，整体厚度为小于约50纳米。所形成的该电容性介面的每单位面积电容值取决于在超薄介电质层中所使用的介电材料的特定介电常数κ以及该介电材料各自的厚度。可以在经耦合堆叠件的边缘处制作电气连结和接地连结。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶粒 构件 电容 耦合 | ||
【主权项】：
1.一种耦合微电子构件的方法，其包括：选择集成电路晶粒，每一个集成电路晶粒包括一表面，其包含至少一个导电区域；形成超薄介电质层于所述集成电路晶粒中的至少一个集成电路晶粒的所述表面的至少一个表面；以及将所述集成电路晶粒耦合成堆叠件，以形成电容性介面，所述电容性介面包括所述超薄介电质层以及在所述超薄介电质层的相对侧上的两个集成电路晶粒的相应导电区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英帆萨斯公司，未经英帆萨斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680056319.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
