[发明专利]基于互补电流场效应晶体管装置的参考产生器和电流源晶体管

摘要

现有的与绝对温度成比例(PTAT)/与绝对温度互补(CTAT)参考电压电路需要一种对准确度和对温度及湿度的不符合要求的灵敏度误差或变化进行匹配的较大组件计数和占地面积的精确装置。本发明涉及一种用于这种基于一对自偏置互补的n型和P型电流场效应晶体管的参考电压电路的新颖方法，所述方法提供轨道PTAT、轨道CTAT和模拟参考电压。

主权项

一种与绝对温度成比例参考电压电路，包括：一对互补的n型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每个包括：所述PiFET和NiFET中的所述每个的源极端子、漏极端子、栅极端子和对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起整个所述源极和漏极沟道中的所述扩散电荷密度的改变，且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；其中所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成共用栅极端子，所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，且所述NiFET和所述PiFET的漏极端子连接在一起以形成输出；且其中所述互补对的所述共用栅极与所述互补对的所述输出连接在一起以用于产生模拟零参考电压，在所述PiFET的所述扩散端子处提供正轨道与绝对温度互补(或CTAT)参考电压输出且在所述NiFET的所述扩散端子处提供负轨道与绝对温度成比例(或PTAT)参考电压输出。