[发明专利]在存储器单元中形成多晶硅侧壁氧化物间隔件的方法有效
| 申请号： | 201680056792.1 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108140564B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杰克·王;S·卡比尔;M·海马斯;S·穆拉利;B·科普 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/321;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示制造具有侧壁氧化物的半导体装置的存储器单元例如EEPROM单元的方法。可在导电层上方形成包含浮动栅极(28)及ONO膜(108)的存储器单元结构。可通过包含在所述导电层的侧表面上沉积薄高温氧化物HTO膜及执行快速热氧化RTO退火的过程在所述浮动栅极的侧表面上形成侧壁氧化物。可在执行所述RTO退火之前或之后沉积所述薄HTO膜。相较于已知先前技术，所述侧壁氧化物形成过程可例如在耐久性及数据保存方面提供改进的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 形成 多晶 侧壁 氧化物 间隔 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的存储器单元的方法，所述方法包括：沉积具有顶部表面及侧表面的导电层；在所述导电层的所述顶部表面上方形成ONO层；及通过包含以下步骤的过程形成邻近所述导电层的所述侧表面的侧壁氧化物层：在所述导电层的所述侧表面上沉积薄高温氧化物HTO膜；以及执行快速热氧化RTO退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
