[发明专利]用于转移石墨烯膜和包含石墨烯膜的基底的方法在审
| 申请号： | 201680057567.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN108137390A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 本尼迪克特·约克·约翰逊;刘鑫源;普兰蒂克·玛祖德 | 申请（专利权）人： | 康宁公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00;C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了用于将石墨烯膜转移到基底上的方法，所述方法包括将聚合物层施加到石墨烯膜的第一表面，其中所述石墨烯膜的第二表面与生长基底接触；将热释放聚合物层施加到所述聚合物层上；去除所述生长基底以形成包括暴露的石墨烯表面的转移基底；以及使所述暴露的石墨烯表面与目标基底接触。本文还公开了包括石墨烯膜、热释放聚合物层和聚合物层的转移基底。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯膜 聚合物层 基底 热释放 生长基 石墨烯 施加 第二表面 第一表面 目标基 暴露 去除 | ||
【主权项】：
一种用于将石墨烯膜转移到基底上的方法，所述方法包括：(a)将聚合物层施加到石墨烯膜的第一表面，其中所述石墨烯膜的第二表面与生长基底接触；(b)将热释放聚合物层施加到所述聚合物层上；(c)去除所述生长基底以形成包括暴露的石墨烯表面的转移基底；以及(d)使所述暴露的石墨烯表面与目标基底接触。
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