[发明专利]谐振装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680057976.X | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108141196B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 梅田圭一;岸武彦;山田宏;福光政和 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H3/007 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;青炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种谐振装置，其特征在于，具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与所述下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于所述第一电极层和所述第二电极层之间且具有隔着所述第一电极层与所述基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与所述下盖对置，在该上盖与下盖之间隔着所述谐振子，所述基板的下表面具有调整部，所述调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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