[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201680059305.7 | 申请日： | 2016-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN108235789A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金宪度 | 申请（专利权）人： | 无限股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，所述薄膜型太阳能电池包括：基板；第一透明电极，设置在基板上，第一分隔部形成在第一透明电极中；半导体层，形成在第一分隔部和第一透明电极上；接触部，形成为穿过第一透明电极和半导体层；第二透明电极，形成在接触部中并且位于半导体层上；以及第二分隔部，形成为穿过半导体层和第二透明电极，其中，接触部的晶粒的尺寸小于第一透明电极的晶粒的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 透明电极 半导体层 薄膜型太阳能电池 分隔部 晶粒 基板 穿过 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜型太阳能电池，包括：基板；第一透明电极，所述第一透明电极设置在所述基板上，所述第一透明电极具有第一分隔部；半导体层，所述半导体层形成在所述第一分隔部中和所述第一透明电极上；接触部，所述接触部形成为穿过所述第一透明电极和所述半导体层；第二透明电极，所述第二透明电极形成在所述接触部中和所述半导体层上；以及第二分隔部，所述第二分隔部形成为穿过所述半导体层和所述第二透明电极，其中，所述接触部的晶粒的尺寸小于所述第一透明电极的晶粒的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
