[发明专利]用于离子注入系统的低传导性自屏蔽绝缘体在审
| 申请号： | 201680059373.3 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108352229A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·K·科尔文;约翰·F·巴格特 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01B17/00 | 分类号： | H01B17/00;H01B17/42;H01J27/02;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 刘新宇;寿宁 |
| 地址： | 美国马萨诸*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种细长绝缘体(302)。该绝缘体可以定位于离子源的开孔接地电极(308)与开孔抑制电极(306)之间。该绝缘体包含具有第一端(316)和第二端(316)的细长本体，其中一个或多个特征(312)界定于该细长本体中并增长沿该细长本体的表面从第一端到第二端的气体传导路径。这些特征(312)中的一个或多个是大体上沿轴向或者与细长本体的轴线成非零角度延伸到细长本体中的切槽(314)。这些特征(312)中的一个能够包括自细长本体的半径延伸出的肋部。 | ||
| 搜索关键词： | 细长本体 绝缘体 第一端 开孔 离子注入系统 低传导性 角度延伸 接地电极 气体传导 抑制电极 离子源 自屏蔽 非零 界定 肋部 切槽 轴向 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体，包括具有第一端和第二端的细长本体，其中，所述细长本体具有界定于其中的一个或多个特征，以及其中，所述一个或多个特征增长从所述第一端到所述第二端的气体传导路径。
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