[发明专利]磁存储元件

摘要

本发明涉及一种磁存储元件，其包括：触头(31)，其包括位于传导层(32)和非磁性层(36)之间的磁性层(34)，磁性层具有垂直于各层的平面的磁化方向；以及成角度的传导轨道(42)，其包括通过两个臂(44A，44B)延伸的中央部分，触头完全设置在轨道上，其中，对于每个臂，沿臂的中间轴线朝向触头流动的电流相对于其中一个臂(44A)主要在电流的左侧并且相对于另一个臂(44B)主要在电流的右侧与触头的、最靠近该臂的部分遭遇。

主权项

1.一种磁存储元件，其包括：触头(31；51；61；71；81；91；101)，其包括磁性层(34)，该磁性层位于传导层(32)和非磁性层(36)之间，所述磁性层具有垂直于所述各层的平面的磁化方向；以及成角度的传导轨道(42；52；62；72；82；92；102)，其包括通过两个臂(44A，44B)延伸的中央部分，触头完全设置在轨道上，其中，对于每个臂，沿臂的中间轴线(45A，45B)朝向触头流动的电流相对于其中一个臂(44A)主要在电流的左侧与触头的、最靠近该其中一个臂的部分遭遇，并且相对于另一个臂(44B)主要在电流的右侧与触头的、最靠近该另一个臂的部分遭遇。