[发明专利]磁隧道二极管和磁隧道晶体管有效
| 申请号： | 201680060273.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108352446B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 埃斯奥·萨斯奥古鲁;斯特芬·布鲁格尔 | 申请（专利权）人： | 于利希研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 林辉轮 |
| 地址： | 德国于利希市，威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开的是具有隧道节(160)的磁隧道二极管(100)，所述隧道节(160)包括半金属磁性层(108)、隧道势垒(110)和由没有任何自旋激发带隙的半导体构成的层(112)。还公开的是具有层结构的磁隧道晶体管(200)，包括发射极‑半金属磁性层(208)、发射极‑基极隧道势垒(210)、没有任何自旋激发带隙的半导体层(212)、基极‑集电极隧道势垒(214)和集电极‑半金属磁性层(216)。这使得有可能实现非易失性、导通方向的可重构性以及反隧道磁阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道二极管 隧道 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道二极管(100)，包括用于与电路相连的两个端子以及隧道节(160)，所述隧道节(160)具有半金属磁体材料层(108)、隧道势垒材料层(110)和自旋无带隙半导体材料层(112)。
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