[发明专利]用于沉积多晶硅的反应器有效
| 申请号： | 201680060315.2 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN108137330B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | H·克劳斯;C·库察 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 彭丽丹;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于沉积多晶硅的反应器，所述反应器的侧面和顶部由反应器壁划界，底部由基板划界，其包括多个丝棒、进料气体系统和废气系统，所述多个丝棒可通过直接通入电流而加热，并附着于所述基板上，所述进料气体系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于向反应器中通入含硅反应气体混合物，所述废气系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于从反应器中排出废气。本发明的特征在于，所述进料气体系统和/或废气系统包括至少一个由金属、陶瓷或CFC制成的保护元件，所述保护元件具有多个开口或网状孔。所述保护元件的开口和网状孔的构造使得只有可通过冲洗从所述进料气体系统或废气系统中去除的硅碎片能进入到保护元件下方的进料气体系统或废气系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 多晶 反应器 | ||
【主权项】：
一种用于沉积多晶硅的反应器，所述反应器的侧面和顶部由反应器壁划界，底部由基板划界，所述反应器包括多个丝棒、进料气体系统和废气系统，所述多个丝棒可通过直接通入电流而加热，并附着于所述基板上，所述进料气体系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于向反应器中通入含硅反应混合物，所述废气系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于从反应器中排出废气，其特征在于，所述进料气体系统和/或废气系统包括至少一个由金属、陶瓷或CFC制成的保护元件，所述保护元件包含多个开口或网状孔，其中所述保护元件的开口和网状孔的构造使得只有可通过冲洗从所述进料气体系统或废气系统中去除的硅碎片能进入到保护元件下方的进料气体系统或废气系统中。
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