[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201680060502.0 | 申请日： | 2016-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN108292668A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 熊泽辉显;宫原真一朗;青井佐智子 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体器件的方法，其包括形成层间绝缘。层间绝缘膜包括第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层覆盖每个栅极电极的上表面。所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上。在所述层间绝缘膜中沟槽之间的位置处设置有接触孔。然后，在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的接触孔起倾斜，以便朝向对应的沟槽的中央向上移位。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 层间绝缘膜 半导体器件 接触孔 软化 绝缘层覆盖 栅极电极 上表面 位置处 移位 加热 绝缘 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板的上表面中形成多个沟槽；在每个所述沟槽中形成栅极绝缘膜；在每个所述沟槽中通过所述栅极绝缘膜形成与所述半导体基板绝缘的栅极电极；形成包括第一绝缘层和第二绝缘层的层间绝缘膜，其中，所述第一绝缘层覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并且具有比所述第一绝缘层的软化温度低的软化温度，并且在所述层间绝缘膜中于每对相邻的两个所述沟槽之间的位置处设置有接触孔；在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的所述接触孔起倾斜，以便朝向对应的所述沟槽的中央向上移位，形成上电极层以覆盖所述层间绝缘膜和所述接触孔。
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