[发明专利]固化性树脂膜及第1保护膜形成用片有效

专利信息
申请号: 201680060831.5 申请日: 2016-11-02
公开(公告)号: CN108260356B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 山岸正宪;佐藤明德 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C09J7/10 分类号: C09J7/10;C09J163/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王利波
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种固化性树脂膜,其包含重均分子量为200~4000的环氧类热固性成分,将该固化性树脂膜粘贴在具有平均顶部高度(h1)为50~400μm、平均直径(D)为60~500μm、平均间距为100~800μm的多个凸块(51)的半导体晶片(5)的表面(5a),使其于100~200℃加热固化0.5~3小时而形成第1保护膜(1a),并利用扫描电子显微镜对其纵向剖面进行观察时,凸块(51)间的中心位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h3)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h3/h1)、及与凸块(51)接触的位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h2)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h2/h1)满足下式[{(h2/h1)-(h3/h1)}≤0.1]所示的关系。
搜索关键词: 固化 树脂 及第 保护膜 形成
【主权项】:
1.一种固化性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有多个凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜,其中,所述固化性树脂膜包含重均分子量为200~4000的环氧类热固性成分作为固化性成分,将所述固化性树脂膜粘贴在具有所述多个凸块的所述半导体晶片的表面,所述多个凸块的平均顶部高度h1为50~400μm、俯视时的平均直径D为60~500μm、及平均间距P为100~800μm,将所述粘贴后的所述固化性树脂膜于100~200℃加热0.5~3小时而使其固化,从而形成保护所述多个凸块的第1保护膜,利用扫描电子显微镜对所述第1保护膜和具有所述多个凸块的半导体晶片的纵向剖面进行观察,此时,所述多个凸块间的中心位置处的所述第1保护膜的平均厚度h3和所述多个凸块的平均顶部高度h1之比(h3/h1)、及与所述多个凸块接触的位置处的所述第1保护膜的平均厚度h2和所述多个凸块的平均顶部高度h1之比(h2/h1)满足下述式(1)所示的关系:{(h2/h1)-(h3/h1)}≤0.1·····(1)。
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