[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201680060935.6 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN108780812B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赵静;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张耀光 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底层(1)；形成于衬底层上表面的矩形半导体条(2)，矩形半导体条沿第一方向依次设置有第一源区(201)、第一沟道区(204)、漏区(203)、第二沟道区(205)及第二源区(202)；覆盖于第一源区的第一部分(2011)和第二源区的第三部分(2021)外表面的第一栅电介质层(301)和第二栅电介质层(302)；覆盖于第一栅电介质层外表面的第一栅区(401)，第一栅区所加电场方向指向第一源区；覆盖于第二栅电介质层外表面的第二栅区(402)，第二栅区所加电场方向指向第二源区。采用双源区的设计，增加了源区载流子的隧穿面积，且栅区所加电场方向与源区载流子的隧穿方向一致，增加了隧穿几率，而隧穿电流与隧穿面积和隧穿几率成正比，因此，隧穿电流较大。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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