[发明专利]热固性树脂膜、第1保护膜形成用片及第1保护膜的形成方法在审
| 申请号： | 201680061246.7 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108140586A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 山岸正宪;佐藤明德 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B32B27/00;H01L21/301;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种热固性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在上述表面形成第1保护膜，在使固化前的该热固性树脂膜以10℃/分的升温速度升温时，该膜在剪切速度1s‑1下的粘度达到100000Pa·s以下的时间为500秒以上。本发明涉及的第1保护膜形成用片具备第1支撑片，并在该第1支撑片的一侧表面上具备该热固性树脂膜。通过在对该热固性树脂膜以0.1Pa以上的压力加压的同时使其发生热固化，从而形成第1保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 热固性树脂膜 保护膜 保护膜形成 热固化 支撑片 半导体晶片 表面形成 剪切 凸块 固化 粘贴 加压 | ||
【主权项】：
一种热固性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在所述表面形成第1保护膜，其中，使固化前的所述热固性树脂膜以10℃/分的升温速度升温时，其在剪切速度1s‑1下的粘度达到100000Pa·s以下的时间为500秒以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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