[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201680061310.1 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108138311B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 梅本启太;张守斌;陆田雄也 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;太阳能先锋株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C28/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 苏萌;钟守期 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu |
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| 搜索关键词： | 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径为150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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