[发明专利]衬底处理装置有效
| 申请号： | 201680061569.6 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN108352294B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市处仁区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包含：限定内部空间的套管组合件，在所述内部空间中处理衬底且堆叠及组装各自具有喷射部分及排气口的多个堆叠主体；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述内部空间中；供应管线，其连接到所述多个堆叠主体中的任一个的所述喷射部分以便供应处理气体；以及排气管线，其连接到所述多个排气口的任一个以便排放所述处理气体。本发明诱导所述处理气体的层流并可均一地供应所述处理气体到所述衬底的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：具有内部空间的套管组合件，在所述内部空间中通过层压多个层压板来处理及组装多个衬底，所述多个层压板中的每一个包括注入部分及排气孔；衬底固持器，其配置成以多极方式将所述多个衬底支撑在所述内部空间中；供应管线，其连接到所述多个层压板的一个注入部分以供应处理气体；以及排气管线，其连接到多个排气孔中的一个以排出所述处理气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
