[发明专利]氮硅化钨膜及其形成方法在审
| 申请号： | 201680062100.4 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108292596A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 乔斯林甘·罗摩林甘;拉尹库曼·雅卡尔尤;雷建新;王志勇 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式包括氮硅化钨膜和沉积氮硅化钨膜的方法。在一些实施方式中，一种薄膜微电子器件包括半导体基板，该基板具有钨栅极电极堆叠，该钨栅极电极堆叠包含氮硅化钨膜，该氮硅化钨膜具有WxSiyNz的化学式，其中x是约19至约22原子百分比，y是约57至约61原子百分比，z是约15至约20原子百分比。在一些实施方式中，一种处理安置于物理气相沉积(PVD)腔室的基板的方法包括：将具有栅极绝缘层的基板暴露于等离子体，该等离子体由第一处理气体形成，该第一处理气体包含氮和氩；从安置于该PVD腔室的处理容积内的靶材溅射硅和钨材料；将如上所述的氮硅化钨层沉积在该栅极绝缘层顶上；和将块状钨层沉积于该氮硅化钨层顶上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮硅化钨 原子百分比 沉积 等离子体 栅极绝缘层 处理气体 电极堆叠 钨栅极 基板 腔室 物理气相沉积 半导体基板 微电子器件 基板暴露 块状钨 钨材料 安置 靶材 溅射 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜微电子器件，包括：基板，所述基板具有钨栅极电极堆叠，所述钨栅极电极堆叠包含氮硅化钨膜，所述氮硅化钨膜具有WxSiyNz的化学式，其中x是约19至约22原子百分比，y是约57至约61原子百分比，z是约15至约20原子百分比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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