[发明专利]喷淋板、半导体制造装置以及喷淋板的制造方法有效
申请号: | 201680062851.6 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN108352319B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 野口幸雄;川濑悠司;松藤浩正;寺本宏司 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C04B35/10;C23C16/455;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的喷淋板包含陶瓷烧结体,具备第1面、与该第1面对置的第2面、和位于所述第1面以及所述第2面之间的贯通孔。并且,在该贯通孔的内表面,具有比存在于晶粒间的晶界相的露出部更突出的突出晶粒。此外,本公开的半导体制造装置具备上述的喷淋板。 | ||
搜索关键词: | 喷淋 半导体 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种喷淋板,包含陶瓷烧结体,所述喷淋板的特征在于,具备:第1面;第2面,与该第1面对置;和贯通孔,位于所述第1面以及所述第2面之间,在该贯通孔的内表面,具有比存在于晶粒间的晶界相的露出部更突出的突出晶粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680062851.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造