[发明专利]喷嘴和包括该喷嘴的基板处理设备以及基板处理方法在审
申请号: | 201680063511.5 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN108352296A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 李秀燕;金昊永;金承镐;李在洪;金俊吾;金袗圭;姜秉万;郑仁一 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司;首尔大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种基板处理设备。根据本发明,该基板处理设备包括:为处理基板提供空间的腔室;设置在腔室中并用于支撑基板的支撑单元;向由支撑单元支撑的基板供应清洗介质的喷嘴。其中该喷嘴包括收缩部、扩张部和孔口。收缩部具有入口,通过该入口流入清洗介质,且该收缩部具有随着远离入口而减小的截面面积。扩张部具有喷射孔,通过喷射孔喷射清洗介质,且该扩张部具有随着靠近喷射孔而增加的截面面积。孔口位于收缩部和扩张部之间。其中流入到收缩部中的清洗介质是单一气体。 | ||
搜索关键词: | 喷嘴 收缩 基板处理设备 清洗介质 喷射孔 支撑单元 孔口 腔室 处理基板 单一气体 基板处理 基板供应 喷射清洗 支撑基板 减小 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理设备,包括:腔室,所述腔室配置为提供用于处理基板的空间;支撑单元,所述支撑单元设置在所述腔室中并被配置成支撑所述基板;和喷嘴,所述喷嘴配置为向由所述支撑单元支撑的所述基板供应清洗介质,其中,所述喷嘴包括:收缩部,所述收缩部具有入口,通过所述入口引入所述清洗介质,并且所述收缩部的截面面积随着远离所述入口而减小;扩张部,所述扩张部具有喷射孔,通过所述喷射孔喷射所述清洗介质,并且所述扩张部的截面面积随着靠近所述喷射孔而增加;和孔口,所述孔口位于所述收缩部和所述扩张部之间,以及其中,引入到所述收缩部中的所述清洗介质是单一气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造