[发明专利]低功率高性能SRAM中的感测放大器有效
| 申请号： | 201680064174.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108352175B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 维诺德·梅内塞斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的实例中，一种静态随机存取存储器SRAM包含存储单元阵列及第一感测放大器(208)。所述存储单元阵列布置为行及列。所述行对应于字线，且所述列对应于位线。所述第一感测放大器(208)包含第一晶体管(410)及第二晶体管(412)。所述第一感测放大器(208)经配置以提供对所述存储单元阵列的第一存储单元的第一读取。基于对所述第一存储单元的所述第一读取不能正确地读取存储于所述第一存储单元中的数据，所述第一感测放大器(208)经配置以第一次递增所述第一晶体管(410)的体偏置。响应于所述第一晶体管(410)的所述体偏置被递增，所述第一感测放大器(208)经配置以提供对所述第一存储单元的第二读取。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 性能 sram 中的 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器SRAM，其包括：存储单元阵列，其布置为行及列，且包括对应于所述行的字线及对应于所述列的位线；及第一感测放大器，其包含第一晶体管及第二晶体管，所述第一感测放大器经配置以：提供对所述存储单元阵列的第一存储单元的第一读取；基于对所述第一存储单元的所述第一读取不能正确地读取存储于所述第一存储单元中的数据，第一次递增所述第一晶体管的体偏置；及响应于所述第一晶体管的所述体偏置被递增，提供对所述第一存储单元的第二读取。
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