[发明专利]电力轨入界线中部(MOL)布线在审
| 申请号： | 201680064949.5 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN108352360A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | H·B·林;段政宇;叶棋;M·马拉布里 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;G06F17/50;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在某些方面，一种半导体管芯包括电力轨、第一栅极和第二栅极。该半导体管芯还包括：电耦合到第一栅极的第一栅极接触部，其中第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；以及电耦合到第二栅极的第二栅极接触部，其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯进一步包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部，并且互连部的至少一部分在电力轨下方。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极接触 半导体管芯 电力轨 电耦合 互连部 金属层 布线 界线 第一线 | ||
【主权项】：
1.一种半导体管芯，包括：电力轨；第一栅极；第二栅极；第一栅极接触部，电耦合到所述第一栅极，其中所述第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；第二栅极接触部，电耦合到所述第二栅极，其中所述第二栅极接触部由所述第一MOL金属层形成；以及互连部，由第二MOL金属层形成，其中所述互连部电耦合到所述第一栅极接触部和所述第二栅极接触部，并且所述互连部的至少一部分在所述电力轨下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680064949.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：用于干扰屏蔽的引线接合线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
