[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201680065156.5 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108351267A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 彼得·诺门森;拉斐尔·泰伊朋;本杰明·莱姆克;谢尔盖·洛帕京 | 申请（专利权）人： | 恩德莱斯和豪瑟尔欧洲两合公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01L19/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆森;戚传江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种构造简单且使用根据本发明的方法成本有效地可制造的压力传感器，其包括：平台(1)；导电测量膜(5)，其与所述平台(1)连接以封闭压力腔室(3)并且能够与待测量压力(Δp)接触；以及电极(13)，其与所述测量膜(5)间隔开并且与所述测量膜(5)电绝缘以连同所述测量膜(5)一起形成电容器，所述电容器具有根据所述测量膜(5)的偏转的电容变量，所述偏转取决于作用于所述测量膜(5)上的所述压力(Δp)，其特征在于所述平台(1)具有限定所述压力腔室(3)并且与所述测量膜(5)相对的内表面，其中在所述内表面上提供绝缘层(15)，尤其是二氧化硅(SiO2)绝缘层(15)，并且所述电极(13)是在所述绝缘层(15)上施加到所述内表面上的导电涂层，尤其是掺杂多晶硅的涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 测量膜 绝缘层 内表面 电容器 偏转 电极 电容式压力传感器 掺杂多晶硅 封闭压力腔 压力传感器 测量压力 导电涂层 电容变量 二氧化硅 压力腔室 电绝缘 有效地 导电 制造 施加 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，包括：‑平台(1)，‑导电测量膜(5)，所述导电测量膜(5)与所述平台(1)连接以封闭压力腔室(3)并且能够与待测量的压力(Δp)接触，以及‑电极(13)，所述电极(13)与所述测量膜(5)间隔开并且与所述测量膜(5)电绝缘以连同所述测量膜(5)一起形成电容器，所述电容器具有根据所述测量膜(5)的偏转的电容变量，所述偏转取决于作用于所述测量膜(5)上的所述压力(Δp)，其特征在于‑所述平台(1)具有限定所述压力腔室(3)并且与所述测量膜(5)相对的内表面，其中在所述内表面上提供绝缘层(15)，尤其是二氧化硅(SiO2)绝缘层(15)，并且‑所述电极(13)是在所述绝缘层(15)上施加到所述内表面上的导电涂层，尤其是掺杂多晶硅的涂层。
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