[发明专利]包含碱金属和第二金属的金属层在审

专利信息
申请号: 201680065408.4 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN108292706A 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 托马斯·卡里兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;乌韦·戈尔弗特;维金塔斯·扬库什;卡斯滕·罗特;本杰明·舒尔策;斯特芬·维尔曼 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/54
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王潜;郭国清
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层,包含所述材料的电子器件及其制备方法,所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属,其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs;并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
搜索关键词: 金属层 金属选 金属 碱金属 半导体层 电子器件 基质材料 共价 制备
【主权项】:
1.一种与包含基本上共价的基质材料的半导体层相邻的金属层,所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属,其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs;并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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