[发明专利]具有改进的电源噪声抑制的可变增益放大器有效
申请号: | 201680065848.X | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN108352836B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | X·袁;J·纳托尼奥;K·R·巴塞洛缪;M·普拉萨德 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03F3/45 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 唐杰敏;陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 电压增益放大器(VGA)被配置成具有减小的电源噪声。该VGA包括第一电阻器、第一FET、以及耦合在第一电压轨和第二电压轨之间的第一电流源。该VGA包括第二电阻器、第二FET、以及耦合在电压轨之间的第二电流源。可变电阻器耦合在该第一FET和该第二FET的相应源极之间。各可变电容器分别耦合在该第一电压轨或第三电压轨与该第一输入FET和该第二输入FET的源极之间。如果电容器耦合到该第一电压轨,则若施加到各FET的栅极的输入差分信号是从该第一电压轨处的电源电压衍生的,则发生跨各FET的栅源电压的噪声消去。如果各电容器耦合至该第三轨,则若第三轨处的电源电压由更干净的调节器生成,则电源噪声被减小。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 电源 噪声 抑制 可变 增益 放大器 | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管(FET),其中所述第一栅极被配置成接收第一差分信号的正分量,并且其中所述第一源极和所述第一漏极耦合在第一电压轨与第二电压轨之间;包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET,其中所述第二栅极被配置成接收所述第一差分信号的负分量,并且其中所述第二源极和所述第二漏极耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间;耦合在所述第一电压轨或第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一电容器;以及耦合在所述第一电压轨或所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二电容器。
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