[发明专利]制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置有效
| 申请号： | 201680066044.1 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN108349729B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 日方威;大久保总一郎;中井龙资;谷冈大辅 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15;C23C8/20;C23C8/22;D01F9/133;D01F9/127 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法，所述方法包括：准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤；以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤，其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地，在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造碳纳米结构体的方法，所述方法包括：准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤，以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤，其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。
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