[发明专利]RF开关中改进的接触部有效

专利信息
申请号: 201680066391.4 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN108352262B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩;詹姆斯·道格拉斯·霍夫曼;迈克·雷诺;希巴乔蒂·高希·达斯蒂德尔;杰奎斯·马赛尔·穆扬戈 申请(专利权)人: 卡文迪什动力有限公司
主分类号: H01H1/00 分类号: H01H1/00;B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 邰凤珠;刘继富
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明总体上涉及一种制造MEMS开关的机构,通过避免电流流过从RF接触部到底层RF电极的通孔中的薄侧壁而使得MEMS开关具有稳健的RF接触部。
搜索关键词: rf 开关 改进 接触
【主权项】:
1.一种MEMS器件,包括:衬底,其具有形成在其中的多个电极,其中所述多个电极至少包括锚电极、下拉电极和RF电极;绝缘层,其设置在所述衬底和所述多个电极之上,其中所述绝缘层具有穿过其形成以暴露所述锚电极的第一开口,以及穿过其形成以暴露所述RF电极的第二开口;接触层,其中所述接触层包括设置在所述第一开口内并与所述锚电极接触的第一部分,设置在所述第二开口内并与所述RF电极接触的第二部分,并且其中所述接触层是导电的;以及开关元件,其设置在介电层之上,其中所述开关元件包括腿部分、桥部分和与所述接触层的第一部分接触的锚部分,并且其中所述桥部分能够从与所述接触层的第二部分间隔开的第一位置和与所述接触层的第二部分接触的第二位置移动。
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