[发明专利]晶圆抛光方法有效
| 申请号： | 201680066639.7 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108475627B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 西谷隆志;谷本龙一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆抛光方法，即使在已形成纳米形貌的晶圆上，也可以抑制其影响，对于各压力区施以适当的抛光压力，由此提高晶圆的平坦度。一种晶圆抛光方法，其使用具备多区加压方式的抛光头的晶圆抛光装置对晶圆表面进行镜面抛光，所述多区加压方式的抛光头将晶圆的按压面划分为多个压力区并能够独立地对各压力区进行加压控制，所述晶圆抛光方法具有：测定步骤(步骤S1)，测定晶圆表面的纳米形貌图；及抛光步骤(步骤S2、S3)，根据所述纳米形貌图的测定结果，针对各压力区设定所述抛光头对于所述晶圆的抛光压力，以实施抛光加工。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆抛光方法，其使用具备多区加压方式的抛光头的晶圆抛光装置对晶圆表面进行镜面抛光，所述多区加压方式的抛光头将晶圆的按压面划分为多个压力区并能够独立地对各压力区进行加压控制，所述晶圆抛光方法的特征在于，具有：测定步骤，测定晶圆表面的纳米形貌图；及抛光步骤，根据所述纳米形貌图的测定结果，针对各压力区设定所述抛光头对于所述晶圆的抛光压力，以实施抛光加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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