[发明专利]液处理装置有效
| 申请号： | 201680066935.7 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108292597B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 入山哲郎;梅野慎一;高木康弘;佐藤尊三 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1器件、第2供给通路、第2器件、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基板。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1器件用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第1处理液高温的第2处理液。第2器件用于对第2供给通路供给第2处理液。壳体收纳处理部。外部壳体与壳体相邻，收纳第1器件和第2器件。另外，外部壳体在第1器件和第2器件之间具有分隔壁。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种液处理装置，其特征在于，包括：使用处理液处理基片的处理部；对所述处理部供给第1处理液的第1供给通路；用于对所述第1供给通路供给第1处理液的第1设备；对所述处理部供给比所述第1处理液温度高的第2处理液的第2供给通路；用于对所述第2供给通路供给第2处理液的第2设备；收纳所述处理部的壳体；和与所述壳体相邻的外部壳体，其收纳所述第1设备和所述第2设备，所述外部壳体在所述第1设备与所述第2设备之间具有分隔壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680066935.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氮硅化钨膜及其形成方法
- 下一篇：基板处理装置的腔室清洁方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
