[发明专利]气体阻隔性膜及电子器件在审
| 申请号： | 201680067430.2 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108290377A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 西尾昌二;森孝博 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B7/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/20;C23C14/34;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供气体阻隔性及光学各向异性得到了改善的气体阻隔性膜。该气体阻隔性膜在基材上具有气体阻隔层，上述气体阻隔层至少在厚度方向上沿厚度方向连续地具有5nm以上的混合区域，该混合区域是含有非过渡金属M1及过渡金属M2的区域，上述过渡金属M2对于上述非过渡金属M1的原子数比的值(M2/M1)在0.02～49的范围内，上述基材在23℃·55％RH的环境下测定光波长590nm处的延迟值Ro的绝对值在0～30nm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 气体阻隔性膜 非过渡金属 气体阻隔层 过渡金属 混合区域 基材 光学各向异性 气体阻隔性 电子器件 原子数比 光波长 延迟 | ||
【主权项】：
1.一种气体阻隔性膜，其为在基材上具有气体阻隔层的气体阻隔性膜，其特征在于，上述气体阻隔层至少在厚度方向上沿厚度方向连续地具有5nm以上的混合区域，该混合区域是含有非过渡金属M1及过渡金属M2的区域，上述过渡金属M2对于上述非过渡金属M1的原子数比的值(M2/M1)在0.02～49的范围内，上述基材在23℃·55％RH的环境下测定光波长590nm处的用下述式(i)定义的延迟值Ro的绝对值在0～30nm的范围内，式(i)：Ro＝(nx‑ny)×d(nm)式(i)中，Ro表示基材的面内延迟值；d表示基材的膜厚，nx表示基材的面内的最大(滞相轴方向)的折射率；ny表示在基材的面内与滞相轴成直角的方向(进相轴方向)的折射率，予以说明，测定条件与上述相同。
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