[发明专利]全模制周边堆叠封装设备有效

专利信息
申请号: 201680067826.7 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN108292628B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 克里斯多佛·M·斯坎伦;威廉·博伊德·罗格;克拉格·必绍普 申请(专利权)人: 美国德卡科技公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/50
代理公司: 北京中珒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11806 代理人: 张硕
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种制造半导体器件的方法,所述方法可包括:提供包括半导体晶粒安装位点的临时载体,并且在所述临时载体上方形成绝缘层。导电焊盘可在所述绝缘层中的开口内形成,并且被定位在所述晶粒安装区域内部和外部。背面再分布层(RDL)可在所述临时载体上方形成,之后将半导体晶粒安装在所述晶粒安装位点处。导电互连件可在所述半导体晶粒安装位点的周边中的所述临时载体上方形成。半导体晶粒可正面朝上安装到所述绝缘层。导电互连件、背面RDL和半导体晶粒可以用模制化合物密封。堆焊互连结构可以形成并连接到所述半导体晶粒和所述导电互连件。在研磨工艺中可以移除所述临时载体,并暴露所述导电焊盘。
搜索关键词: 全模制 周边 堆叠 封装 设备
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:提供包括半导体晶粒安装位点的临时载体;在所述临时载体上方形成绝缘层;在所述绝缘层中的开口内形成导电焊盘,所述导电焊盘被定位在晶粒安装区域内部和外部;在所述临时载体、所述绝缘层和所述导电焊盘上方形成背面再分布层(RDL),之后将半导体晶粒安装在所述晶粒安装位点处;在所述半导体晶粒安装位点的周边中的所述临时载体上方形成导电互连件;在所述半导体晶粒安装位点处将半导体晶粒正面朝上安装到所述绝缘层;用模制化合物密封所述导电互连件、背面RDL和半导体晶粒;形成连接到所述半导体晶粒和所述导电互连件的堆焊互连结构;以及在研磨工艺中移除所述临时载体并暴露所述导电焊盘。
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