[发明专利]光电二极管阵列有效
申请号: | 201680068163.0 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN108292663B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 罗伯特·艾伦·赫尔米克 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 奥地利乌特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种光电二极管阵列,其包括第一光电二极管,第一光电二极管包括第一组空间分离且电互连的光电二极管分段(D1')。第二光电二极管包括第二组空间分离且电互连的光电二极管分段(D2')。第一光电二极管分段群(12)包括来自第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段。来自第一光电二极管分段群的光电二极管分段相对于共同的对称中心以共同的第一距离围绕共同的对称中心(CO)径向布置。第二光电二极管分段群(34)包括来自第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段。来自第二光电二极管分段群的光电二极管分段相对于共同的对称中心以第二共同的距离围绕共同的对称中心径向布置,其中,第一距离不同于第二距离。每个光电二极管具有面积匹配的配对光电二极管,形成匹配的光电二极管对。匹配的配对光电二极管包括一组匹配的空间分离且电互连的光电二极管分段。每个光电二极管分段群包括相应的一组匹配的光电二极管分段。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种光电二极管阵列,包括:‑第一光电二极管,其包括第一组空间分离且电互连的光电二极管分段(D1');‑第二光电二极管,其包括第二组空间分离且电互连的光电二极管分段(D2');‑第一光电二极管分段群(12),其包括来自所述第一组和/或第二组光电二极管分段中的光电二极管分段,其中,来自所述第一光电二极管分段群的光电二极管分段围绕共同的对称中心(C0)相对于所述共同的对称中心以共同的第一距离径向布置,以及‑第二光电二极管分段群(34),其包括来自所述第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段,其中,来自所述第二光电二极管分段群的光电二极管分段围绕所述共同的对称中心相对于所述共同的对称中心以第二共同的距离径向布置,其中,所述第一距离不同于所述第二距离,并且其中‑每个光电二极管具有面积匹配的配对光电二极管,以形成匹配的光电二极管对,‑匹配的配对光电二极管包括一组匹配的空间分离且电互连的光电二极管分段,并且‑每个光电二极管分段群包括相应的一组匹配的光电二极管分段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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