[发明专利]钝化半导体衬底中缺陷的方法与装置

摘要

本文描述了用于钝化半导体衬底，特别是硅基太阳电池的缺陷的一种方法与一种装置。根据该方法，在第一处理阶段中对该衬底施加电磁辐射，其中施加于该衬底的辐射至少具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度。在此过程中可导致该衬底的加热，亦可实施调温。随后，在该第一处理阶段之后的温度保持阶段中用电磁辐射照射该衬底，其中施加于该衬底的辐射主要具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；同时通过与被一冷却装置所冷却的涂层发生接触，来冷却该衬底的背离该电磁辐射的辐射源的一面。该装置具有包含长条形处理室的连续炉，该处理室具有至少三个先后配置的区(第一处理区、温度保持区及冷却区)及至少一用于容置该衬底且用于输送该衬底穿过所述区的输送单元。该装置还具有至少一第一辐射源，该第一辐射源能够将电磁辐射照射至该输送单元的位于该第一处理区内的区域，且该第一辐射源适于至少产生小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；以及至少一第二辐射源，该第二辐射源能够将电磁辐射照射至该输送单元的位于该温度保持区内的区域，且该第二辐射源适于至少产生小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度。至少一第一冷却单元与该输送单元的位于该温度保持区内的区域发生导热接触。

主权项

1.一种钝化半导体衬底，特别是硅基太阳电池的缺陷的方法，包括以下步骤：在第一处理阶段中，至少通过电磁辐射来加热衬底，其中施加于所述衬底的辐射至少具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；在所述加热阶段之后的温度保持阶段中，用电磁辐射照射所述衬底，其中施加于所述衬底的辐射主要具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；通过在所述温度保持阶段中与经冷却装置冷却的涂层发生接触，来冷却所述衬底的背离所述电磁辐射的辐射源的一面。