[发明专利]13族元素氮化物结晶基板及功能元件有效

专利信息
申请号: 201680068330.1 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN108291329B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 岩井真;吉野隆史 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/208;H01L33/32
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 结晶基板1包括:由13族元素氮化物结晶形成、具有第一主面2a和第二主面2b的基底层2、以及、设置在基底层的第一主面上的由13族元素氮化物形成的厚膜3。基底层2包含:在第一主面2a与第二主面2b之间贯穿的低载流子浓度区域5和高载流子浓度区域4,低载流子浓度区域5的载流子浓度为1017/cm3以下,低载流子浓度区域5的缺陷密度为107/cm2以下,高载流子浓度区域4的载流子浓度为1019/cm3以上,高载流子浓度区域4的缺陷密度为108/cm2以上。厚膜3的载流子浓度为1018/cm3~1019/cm3,厚膜3的缺陷密度为107/cm2以下。
搜索关键词: 载流子 浓度区域 主面 基底层 族元素 厚膜 氮化物结晶 氮化物形成 功能元件 结晶基板 基板 贯穿
【主权项】:
1.一种13族元素氮化物结晶基板,所述13族元素氮化物结晶基板包括:基底层,由13族元素氮化物结晶形成,具有第一主面和第二主面,以及,厚膜,由13族元素氮化物结晶形成,设置在所述基底层的所述第一主面上,其特征在于,所述基底层包含:在所述第一主面与所述第二主面之间延伸的、低载流子浓度区域和高载流子浓度区域,所述低载流子浓度区域的载流子浓度为1×1016/cm3~1017/cm3,所述低载流子浓度区域的缺陷密度为2×106/cm2~107/cm2,所述高载流子浓度区域的载流子浓度为1019/cm3~5×1019/cm3,所述高载流子浓度区域的缺陷密度为108/cm2~5×108/cm2,所述厚膜的载流子浓度为1018/cm3~1019/cm3,所述厚膜的缺陷密度为107/cm2以下。
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