[发明专利]存储设备中的双层电介质有效
| 申请号： | 201680068358.5 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN108307662B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | M·J·伯恩哈特;Y·金;D·S·弗罗斯特;T·E·艾伦三世;K·L·贝克尔;K·亚斯特列贝内特斯凯;R·A·威默尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L23/528;H01L27/22;H01L27/105;H01L27/24;H01L23/532;H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了用于包括具有设置在管芯的存储器区域中的多条字线的存储器阵列的存储设备的技术和配置。填充区域可以设置在多条字线中的相应相邻字线对之间。填充区域可以包括第一电介质层和设置在第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层可以包括有机(例如，基于碳的)旋涂电介质材料(CSOD)。例如，第二电介质层可以包括与第一电介质层不同的电介质材料，诸如无机电介质材料。描述和/或要求保护了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 中的 双层 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：存储器阵列，具有多条字线；以及填充区域，位于所述多条字线中的相应相邻字线对之间，其中，所述填充区域中的一个或多个填充区域包括第一电介质材料和设置在所述第一电介质材料上的第二电介质材料，其中，所述第一电介质材料是有机旋涂电介质材料(CSOD)，并且其中，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料。
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