[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201680068989.7 | 申请日： | 2016-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN108291328B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 金大基 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的单晶硅的制造方法具备：熔解工序，通过由加热部加热容纳有硅的石英坩埚来熔解硅；浸渍工序，使籽晶与石英坩埚内的硅熔体接触；及提拉工序，通过提拉籽晶来生长单晶硅，提拉工序中，在加热部的电力消耗量达到10000kwh以上之后开始形成单晶硅的直体部，并生长单晶硅整体。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，具备：熔解工序，通过由加热部加热容纳有硅的石英坩埚来熔解所述硅；浸渍工序，使籽晶与所述石英坩埚内的硅熔体接触；及提拉工序，通过提拉所述籽晶来生长单晶硅，所述提拉工序中，在所述加热部的电力消耗量达到10000kwh以上之后开始形成所述单晶硅的直体部，并生长所述单晶硅整体。
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