[发明专利]溅射靶有效
| 申请号： | 201680069144.X | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108291294B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 金光谭;栉引了辅;山本俊哉;齐藤伸;日向慎太朗 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/04;C22C1/05;C22C1/10;C22C5/04;C22C19/07;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶。该溅射靶含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，上述氧化物的熔点为600℃以下、并且该氧化物的每1mol O |
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| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其特征在于，其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，所述氧化物的熔点为600℃以下、并且该氧化物的每1mol O2的标准生成吉布斯自由能ΔGf为‑1000kJ/mol O2以上且‑500kJ/mol O2以下。
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