[发明专利]制造光电转换元件的方法有效
| 申请号： | 201680069408.1 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108293281B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 细野秀雄;云见日出也;中村伸宏;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;C23C14/08;H01L51/48;H01L51/50;H05B33/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;高培培 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光电 转换 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造光电转换元件的方法，具有：(1)在基板上配置第一电极的步骤；(2)在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；(3)利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；(4)在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及(5)在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。
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