[发明专利]利用反掺杂结的电器件有效
| 申请号： | 201680069616.1 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108369900B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | C.J.奥古斯托 | 申请（专利权）人： | 量子半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/15;H01L21/265;H01L29/737;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电器件包括从由pn结或p‑i‑n结组成的组中选择的反掺杂异质结。反掺杂结包括利用一个或多个n型主掺杂剂种类掺杂的第一半导体和利用一个或多个p型主掺杂剂种类掺杂的第二半导体。该器件还包括从由第一半导体和第二半导体组成的组中选择的第一反掺杂组件。利用一个或多个反掺杂剂种类来对第一反掺杂组件进行反掺杂，该一个或多个反掺杂剂种类具有与包括在第一反掺杂组件中的主掺杂剂的极性相反的极性。另外，选择某一水平的n型主掺杂剂、p型主掺杂剂和一个或多个反掺杂剂以使反掺杂异质结通过声子辅助机制提供放大并且该放大具有小于1V的起始电压。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 掺杂 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电器件，包括：从由pn结或p‑i‑n结组成的组中选择的反掺杂异质结，反掺杂结包括利用n型主掺杂剂掺杂的第一半导体和利用p型主掺杂剂掺杂的第二半导体；从由第一半导体和第二半导体组成的组中选择的被反掺杂的第一反掺杂组件，该第一反掺杂组件被掺杂有一个或多个反掺杂剂，该一个或多个反掺杂剂具有与包括在该第一反掺杂组件中的主掺杂剂的极性相反的极性；以及某一水平的n型主掺杂剂、p型主掺杂剂以及一个或多个反掺杂剂，其使得反掺杂结通过声子辅助机制来提供放大并且放大具有小于1V的起始电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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