[发明专利]电熵存储器设备有效
| 申请号： | 201680069884.3 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108292514B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | D·R·卡弗;S·C·霍尔;C·K·安德烈庞特;S·W·雷诺兹;J·H·吉布斯;B·W·富尔费尔 | 申请（专利权）人： | 卡弗科学有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/24 | 分类号： | G11C11/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;张立达 |
| 地址： | 美国路易*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本文公开了包括电熵存储设备(EESD)的阵列的电熵存储器设备的实施例，以及制作和使用所述电熵存储器设备的方法。所述存储器设备包括按行布置以选择一行EESD的多个地址线，以及按列布置以选择一列EESD的多个数据线，其中每个EESD都串联地耦合在被连接至所述EESD的一侧的地址线和被连接至所述EESD的相对侧的数据线之间。所述存储器设备可以具有包括多层地址线、数据线和EESD的堆叠架构。所公开的电熵存储器设备可以在ROM和RAM模式下操作。所公开的电熵存储器设备中的EESD可以包括2‑4096个逻辑状态，和/或具有0.001kb/cm |
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| 搜索关键词： | 存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：电熵存储设备(EESD)的阵列，每个EESD都包括具有大于3.9的相对电容率的介电材料，其中，每个EESD都是所述存储器设备中的存储元件；按行布置以选择一行EESD的多个地址线；和按列布置以选择一列EESD的多个数据线，其中，每个EESD都串联地耦合在被连接至所述EESD的一侧的地址线与被连接至所述EESD的相对侧的数据线之间。
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