[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法有效
申请号: | 201680070615.9 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN108369956B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米;M·纳哈尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L29/51 | 分类号: | H01L29/51;H01L21/28;H01L49/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×10 |
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搜索关键词: | 电容器 电场 效应 晶体管 形成 包含 导电 材料 电子 组件 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法,所述方法包含:在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料;在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠,所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率;使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的;及在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。
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