[发明专利]雪崩光电二极管

摘要

雪崩光电二极管包括:形成于第一导电型的基板(1)的第一导电型的第一半导体层(3)；形成于第一半导体层(3)下并与第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层(2)；形成于基板(1)的第一半导体层(3)的浅的部分并与第一半导体层(3)的杂质浓度相比为高浓度的第一导电型的第三半导体层(7)；形成于第三半导体层(7)的正下方的第一半导体层(3)内的区域的第一导电型的第四半导体层(6)；与第一半导体层(3)电性地连接的第一接点(11)；与第二半导体层(2)电性地连接的第二接点(12)。第四半导体层(6)的杂质浓度高于第一半导体层(3)的杂质浓度,且低于第三半导体层(7)的杂质浓度。

主权项

1.一种雪崩光电二极管,其特征在于,包括:形成于第一导电型的基板上的所述第一导电型的第一半导体层；形成于所述第一半导体层下并与所述第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层；形成于所述基板的所述第一半导体层的浅的部分并与所述第一半导体层的杂质浓度相比为高浓度的所述第一导电型的第三半导体层；形成于所述第三半导体层的正下方的所述第一半导体层内的区域的所述第一导电型的第四半导体层；与所述第一半导体层电性地连接的第一接点；与所述第二半导体层电性地连接的第二接点；所述第四半导体层的杂质浓度高于所述第一半导体层的杂质浓度,且低于所述第三半导体层的杂质浓度。