[发明专利]蚀刻用组合物以及利用该组合物半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201680071078.X | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108291132B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林廷训;李珍旭;朴宰完 | 申请（专利权）人： | 秀博瑞殷株式公社 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;H01L21/306;C09K13/06;C09K13/04;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;张云志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 以及 利用 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻用组合物，其中，包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。
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